Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH2DHE3/5BT

KEY Part #: K6447562

[7237個在庫]


    品番:
    ESH2DHE3/5BT
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH2DHE3/5BT electronic components. ESH2DHE3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH2DHE3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ESH2DHE3/5BT 製品の属性

    品番 : ESH2DHE3/5BT
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 2A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 930mV @ 2A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 35ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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