Vishay Siliconix - SQJ456EP-T1_GE3

KEY Part #: K6417453

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品番:
SQJ456EP-T1_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ456EP-T1_GE3 製品の属性

品番 : SQJ456EP-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 32A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3342pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 83W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

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