GeneSiC Semiconductor - MBR3530

KEY Part #: K6425016

MBR3530 価格設定(USD) [7002個在庫]

  • 1 pcs$5.88611
  • 100 pcs$5.71257

品番:
MBR3530
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4. Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 35A Schottky Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR3530 electronic components. MBR3530 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR3530, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR3530 製品の属性

品番 : MBR3530
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io) : 35A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 680mV @ 35A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1.5mA @ 20V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
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