説明 :
ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
72A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
59 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 18mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
188nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
3672pF @ 1000V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-4L