Infineon Technologies - BCR191WH6327XTSA1

KEY Part #: K6528752

BCR191WH6327XTSA1 価格設定(USD) [3479220個在庫]

  • 1 pcs$0.01536
  • 3,000 pcs$0.01528

品番:
BCR191WH6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BCR191WH6327XTSA1 electronic components. BCR191WH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR191WH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BCR191WH6327XTSA1 製品の属性

品番 : BCR191WH6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 22 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 22 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 250mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT323-3

あなたも興味があるかもしれません