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- 品番:
- IGP01N120H2XKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IGP01N120H2XKSA1 electronic components. IGP01N120H2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGP01N120H2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGP01N120H2XKSA1 製品の属性
品番 :
IGP01N120H2XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
3.2A
電流-パルスコレクター（Icm） :
3.5A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.8V @ 15V, 1A
パワー-最大 :
28W
スイッチングエネルギー :
140µJ
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
8.6nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
13ns/370ns
試験条件 :
800V, 1A, 241 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
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