SI8806DB-T2-E1 価格設定（USD） [518123個在庫]
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- 品番:
- SI8806DB-T2-E1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 12V MICROFOOT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8806DB-T2-E1 electronic components. SI8806DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8806DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8806DB-T2-E1 製品の属性
品番 :
SI8806DB-T2-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
43 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 8V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Microfoot
パッケージ/ケース :
4-XFBGA
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