Infineon Technologies - IAUT300N10S5N015ATMA1

KEY Part #: K6402020

IAUT300N10S5N015ATMA1 価格設定(USD) [21947個在庫]

  • 1 pcs$1.87788

品番:
IAUT300N10S5N015ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET75V120V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IAUT300N10S5N015ATMA1 electronic components. IAUT300N10S5N015ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUT300N10S5N015ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IAUT300N10S5N015ATMA1 製品の属性

品番 : IAUT300N10S5N015ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET75V120V
シリーズ : OptiMOS™-5
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 300A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.8V @ 275µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 216nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 16011pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN

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