IAUT300N10S5N015ATMA1 価格設定（USD） [21947個在庫]
- 1 pcs$1.87788
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET75V120V.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IAUT300N10S5N015ATMA1 electronic components. IAUT300N10S5N015ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUT300N10S5N015ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IAUT300N10S5N015ATMA1 製品の属性
品番 :
IAUT300N10S5N015ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET75V120V
シリーズ :
OptiMOS™-5
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
300A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 275µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
216nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
16011pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
375W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース :
8-PowerSFN
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