Vishay Semiconductor Diodes Division - HFA08TB120STRR

KEY Part #: K6451190

[143個在庫]


    品番:
    HFA08TB120STRR
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HFA08TB120STRR 製品の属性

    品番 : HFA08TB120STRR
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
    シリーズ : HEXFRED®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
    電流-平均整流(Io) : 8A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3.3V @ 8A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 95ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1200V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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