Samsung Semiconductor - K4A4G165WF-BCTD

KEY Part #: K7359587

[26724個在庫]


    品番:
    K4A4G165WF-BCTD
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、LPDDR4X, HBM Flarebolt, HBM Aquabolt, DDR3, GDDR6, DDR4, LPDDR5 and LPDDR3を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G165WF-BCTD electronic components. K4A4G165WF-BCTD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G165WF-BCTD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G165WF-BCTD 製品の属性

    品番 : K4A4G165WF-BCTD
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR4
    密度 : 4 Gb
    組織。 : 256M x 16
    速度 : 2666 Mbps
    電圧 : 1.2 V
    温度。 : 0 ~ 85 °C
    パッケージ : 96FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    あなたも興味があるかもしれません
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.