現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A8G085WC-BCWE

Samsung Semiconductor - K4A8G085WC-BCWE

KEY Part #: K7359603

[21766個在庫]

    品番:
    K4A8G085WC-BCWE
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、HBM Aquabolt, LPDDR5, HBM Flarebolt, MODULE, DDR3, LPDDR3, GDDR5 and LPDDR4Xを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G085WC-BCWE electronic components. K4A8G085WC-BCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G085WC-BCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G085WC-BCWE 製品の属性

    品番 : K4A8G085WC-BCWE
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR4
    密度 : 8 Gb
    組織。 : 1G x 8
    速度 : 3200 Mbps
    電圧 : 1.2 V
    温度。 : 0 ~ 85 °C
    パッケージ : 78FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    最新ニュース

    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    あなたも興味があるかもしれません
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

    ホットパーツ