Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8JT-E3/81

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NSB8JT-E3/81 価格設定(USD) [143207個在庫]

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品番:
NSB8JT-E3/81
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
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家族のカテゴリー:
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競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB8JT-E3/81 製品の属性

品番 : NSB8JT-E3/81
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 8A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 55pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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