TRS16N65D,S1F 価格設定（USD） [14621個在庫]
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- 品番:
- TRS16N65D,S1F
- 詳細な説明:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65D,S1F electronic components. TRS16N65D,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TRS16N65D,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TRS16N65D,S1F 製品の属性
品番 :
TRS16N65D,S1F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
8A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
90µA @ 650V
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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