JAN1N5550 価格設定（USD） [8054個在庫]
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- 250 pcs$3.13161
- 500 pcs$2.85530
- 品番:
- JAN1N5550
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 200V
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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JAN1N5550 製品の属性
品番 :
JAN1N5550
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/420
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 9A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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