Infineon Technologies - FP75R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6532777

[1053個在庫]


    品番:
    FP75R07N2E4B11BOSA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    IGBT MODULE VCES 600V 75A.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FP75R07N2E4B11BOSA1 製品の属性

    品番 : FP75R07N2E4B11BOSA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : IGBT MODULE VCES 600V 75A
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    IGBTタイプ : Trench Field Stop
    構成 : Three Phase Inverter
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 75A
    パワー-最大 : -
    Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 75A
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
    入力容量(Cies)@ Vce : 4.6nF @ 25V
    入力 : Standard
    NTCサーミスタ : Yes
    動作温度 : -40°C ~ 150°C
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : Module
    サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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