GeneSiC Semiconductor - 1N5831R

KEY Part #: K6425091

詳細な説明:: DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4. Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N5831R electronic components. 1N5831R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5831R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : 1N5831R

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Schottky, Reverse Polarity

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 35V

電流-平均整流（Io） : 25A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 580mV @ 25A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 2mA @ 20V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Chassis, Stud Mount

パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません

BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
BAS40E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier
VS-18TQ045SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK.

ホットパーツ