GeneSiC Semiconductor - 1N5831R

KEY Part #: K6425091

1N5831R 価格設定(USD) [6771個在庫]

  • 1 pcs$6.08538
  • 100 pcs$5.79996

品番:
1N5831R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4. Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N5831R electronic components. 1N5831R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5831R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5831R 製品の属性

品番 : 1N5831R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io) : 25A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 580mV @ 25A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 2mA @ 20V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
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