APTGT50H60T3G 価格設定（USD） [1633個在庫]
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- 品番:
- APTGT50H60T3G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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APTGT50H60T3G 製品の属性
品番 :
APTGT50H60T3G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Full Bridge Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
80A
パワー-最大 :
176W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
250µA
入力容量（Cies）@ Vce :
3.15nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP3
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