Micron Technology Inc. - MT29F1G08ABADAH4-IT:D

KEY Part #: K939097

MT29F1G08ABADAH4-IT:D 価格設定(USD) [23418個在庫]

  • 1 pcs$2.45029

品番:
MT29F1G08ABADAH4-IT:D
メーカー:
Micron Technology Inc.
詳細な説明:
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 1G 128MX8 FBGA
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、メモリ-コントローラー, データ収集-デジタルポテンショメータ, ロジック-ゲートとインバーター, リニア-アンプ-計装、オペアンプ、バッファアンプ, インターフェース-センサー、静電容量式タッチ, ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能, PMIC-電源管理-専門 and PMIC-パワーオーバーイーサネット(PoE)コントローラーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-IT:D electronic components. MT29F1G08ABADAH4-IT:D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F1G08ABADAH4-IT:D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F1G08ABADAH4-IT:D 製品の属性

品番 : MT29F1G08ABADAH4-IT:D
メーカー : Micron Technology Inc.
説明 : IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND
メモリー容量 : 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : -
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 63-VFBGA (9x11)

あなたも興味があるかもしれません
  • MR25H256CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • 7164S20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM

  • 6116SA15TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W29N02GVBIAA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 3V x 8bit

  • W978H6KBVX2E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C

  • EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.