RGT8BM65DTL 価格設定（USD） [106413個在庫]
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- 品番:
- RGT8BM65DTL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 8A 62W TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RGT8BM65DTL electronic components. RGT8BM65DTL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGT8BM65DTL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGT8BM65DTL 製品の属性
品番 :
RGT8BM65DTL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
IGBT 650V 8A 62W TO-252
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
8A
電流-パルスコレクター（Icm） :
12A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.1V @ 15V, 4A
パワー-最大 :
62W
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
13.5nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
17ns/69ns
試験条件 :
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
40ns
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
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