Texas Instruments - CSD17306Q5A

KEY Part #: K6415741

CSD17306Q5A 価格設定(USD) [167525個在庫]

  • 1 pcs$0.22079
  • 2,500 pcs$0.21816

品番:
CSD17306Q5A
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Texas Instruments CSD17306Q5A electronic components. CSD17306Q5A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17306Q5A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17306Q5A 製品の属性

品番 : CSD17306Q5A
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 3V, 8V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.7 mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15.3nC @ 4.5V
Vgs(最大) : +10V, -8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2170pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-VSONP (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86380-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

  • FQD3P50TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • FDD5690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

  • RFD14N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

  • FDD86113LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

  • FDD6637

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.