Infineon Technologies - IDP30E65D1XKSA1

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品番:
IDP30E65D1XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP30E65D1XKSA1 製品の属性

品番 : IDP30E65D1XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 60A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 64ns
電流-Vrでの逆漏れ : 40µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-2-1
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 175°C

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