FP35R12W2T4B11BOMA1 価格設定（USD） [1760個在庫]
- 1 pcs$24.60123
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE 1200V 35A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FP35R12W2T4B11BOMA1 electronic components. FP35R12W2T4B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP35R12W2T4B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FP35R12W2T4B11BOMA1 製品の属性
品番 :
FP35R12W2T4B11BOMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE 1200V 35A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
54A
パワー-最大 :
215W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.25V @ 15V, 35A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
2nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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