現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. W947D6HBHX6E

Winbond Electronics - W947D6HBHX6E

KEY Part #: K942321

W947D6HBHX6E 価格設定（USD） [45741個在庫]

  • 1 pcs$1.07481
  • 312 pcs$1.06947
品番:
W947D6HBHX6E
メーカー:
Winbond Electronics
詳細な説明:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、組み込み-DSP（デジタルシグナルプロセッサ）, PMIC-スーパーバイザー, PMIC-電源管理-専門, メモリ-FPGAのコンフィギュレーションプロム, ロジック-カウンター、ディバイダー, ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能, PMIC-電圧レギュレータ-リニアレギュレータコントローラ and PMIC-電圧レギュレータ-リニア+スイッチングを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX6E electronic components. W947D6HBHX6E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX6E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX6E 製品の属性

品番 : W947D6HBHX6E
メーカー : Winbond Electronics
説明 : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - Mobile LPDDR
メモリー容量 : 128Mb (8M x 16)
クロック周波数 : 166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 5ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V
動作温度 : -25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 60-VFBGA (8x9)

最新ニュース

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
あなたも興味があるかもしれません
  • IS25LQ032B-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q256JVEIM TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • W25Q256JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25L16B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 16K Serial SPI 3V FRAM

ホットパーツ