Vishay Semiconductor Diodes Division - UH6PJHM3/86A

KEY Part #: K6449844

[603個在庫]


    品番:
    UH6PJHM3/86A
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH6PJHM3/86A electronic components. UH6PJHM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH6PJHM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    UH6PJHM3/86A 製品の属性

    品番 : UH6PJHM3/86A
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 6A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3V @ 6A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 45ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : 30pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-277, 3-PowerDFN
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-277A (SMPC)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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