SI8821EDB-T2-E1 価格設定（USD） [652215個在庫]
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- 品番:
- SI8821EDB-T2-E1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8821EDB-T2-E1 electronic components. SI8821EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8821EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8821EDB-T2-E1 製品の属性
品番 :
SI8821EDB-T2-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
135 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
440pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Microfoot
パッケージ/ケース :
4-XFBGA, CSPBGA
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