Infineon Technologies - BSM150GB120DLCHOSA1

KEY Part #: K6534379

BSM150GB120DLCHOSA1 価格設定(USD) [626個在庫]

  • 1 pcs$74.23494

品番:
BSM150GB120DLCHOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 MED POWER 62MM-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSM150GB120DLCHOSA1 electronic components. BSM150GB120DLCHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM150GB120DLCHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM150GB120DLCHOSA1 製品の属性

品番 : BSM150GB120DLCHOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 MED POWER 62MM-1
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 300A
パワー-最大 : 1250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.6V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 11nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.