Infineon Technologies - IDD03SG60CXTMA1

KEY Part #: K6445529

[2077個在庫]


    品番:
    IDD03SG60CXTMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IDD03SG60CXTMA1 electronic components. IDD03SG60CXTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDD03SG60CXTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDD03SG60CXTMA1 製品の属性

    品番 : IDD03SG60CXTMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3
    シリーズ : CoolSiC™
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 3A (DC)
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.3V @ 3A
    速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 0ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 15µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : 60pF @ 1V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • VS-20ETF04FPPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.