Taiwan Semiconductor Corporation - S1JBHR5G

KEY Part #: K6426725

S1JBHR5G 価格設定(USD) [989644個在庫]

  • 1 pcs$0.03737

品番:
S1JBHR5G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA. Rectifiers 1A, 600V, Glass Passivated SMB Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1JBHR5G electronic components. S1JBHR5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JBHR5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1JBHR5G 製品の属性

品番 : S1JBHR5G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 12pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • MUR220RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL. Rectifiers 200V 2A UltraFast

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

  • RS2B-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 100V

  • PR1504-T

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO15. Rectifiers 1.5A 400V