MMBD4448H-7-F 価格設定（USD） [2283794個在庫]
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- 150,000 pcs$0.00848
- 品番:
- MMBD4448H-7-F
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 350mW
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated MMBD4448H-7-F electronic components. MMBD4448H-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD4448H-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMBD4448H-7-F 製品の属性
品番 :
MMBD4448H-7-F
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io） :
250mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 70V
静電容量@ Vr、F :
3.5pF @ 6V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
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