Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB8ATHE3/45

KEY Part #: K6456586

UGB8ATHE3/45 価格設定(USD) [138611個在庫]

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品番:
UGB8ATHE3/45
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB8ATHE3/45 製品の属性

品番 : UGB8ATHE3/45
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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