GeneSiC Semiconductor - GC20MPS12-220

KEY Part #: K6433928

GC20MPS12-220 価格設定(USD) [5276個在庫]

  • 1 pcs$8.20968

品番:
GC20MPS12-220
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 electronic components. GC20MPS12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC20MPS12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC20MPS12-220 製品の属性

品番 : GC20MPS12-220
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 94A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 20A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 18µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 1298pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
あなたも興味があるかもしれません
  • VS-1N3624R

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA. Rectifiers 1000 Volt 16 Amp 400 Amp IFSM

  • SS1FL3HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • SS1FH6-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMF SCHOTTKY RECT

  • SS2FL3HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • V3FM15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A150VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V2FL45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A45VSMFTRENCH SKY RECT..