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- 品番:
- FGPF7N60RUFDTU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 14A 41W TO220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGPF7N60RUFDTU electronic components. FGPF7N60RUFDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGPF7N60RUFDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGPF7N60RUFDTU 製品の属性
品番 :
FGPF7N60RUFDTU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 14A 41W TO220F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
14A
電流-パルスコレクター（Icm） :
21A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.8V @ 15V, 7A
パワー-最大 :
41W
スイッチングエネルギー :
230µJ (on), 100µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
24nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
60ns/60ns
試験条件 :
300V, 7A, 30 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
65ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
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