DMN32D4SDW-13 価格設定（USD） [1192875個在庫]
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- 10,000 pcs$0.02784
- 品番:
- DMN32D4SDW-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN32D4SDW-13 electronic components. DMN32D4SDW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN32D4SDW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN32D4SDW-13 製品の属性
品番 :
DMN32D4SDW-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
650mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
50pF @ 15V
パワー-最大 :
290mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363
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