IXTB62N50L 価格設定（USD） [2201個在庫]
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- 10 pcs$20.25177
- 100 pcs$17.55930
- 品番:
- IXTB62N50L
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTB62N50L electronic components. IXTB62N50L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTB62N50L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTB62N50L 製品の属性
品番 :
IXTB62N50L
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
62A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
20V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 31A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
550nC @ 20V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
800W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS264™
パッケージ/ケース :
TO-264-3, TO-264AA
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