ON Semiconductor - FCA76N60N

KEY Part #: K6399559

FCA76N60N 価格設定(USD) [4427個在庫]

  • 1 pcs$9.78490
  • 450 pcs$6.42442

品番:
FCA76N60N
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCA76N60N electronic components. FCA76N60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCA76N60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCA76N60N 製品の属性

品番 : FCA76N60N
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN
シリーズ : SupreMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 76A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 36 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 285nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12385pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 543W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.