DMC1229UFDB-13 価格設定（USD） [534713個在庫]
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- 品番:
- DMC1229UFDB-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMC1229UFDB-13 electronic components. DMC1229UFDB-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMC1229UFDB-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMC1229UFDB-13 製品の属性
品番 :
DMC1229UFDB-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.6A, 3.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19.6nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
914pF @ 6V
パワー-最大 :
1.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6 (Type B)
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