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Comchip Technology - 1N4007-G

KEY Part #: K6456689

1N4007-G 価格設定（USD） [5808784個在庫]

  • 1 pcs$0.00672
  • 5,000 pcs$0.00669
  • 10,000 pcs$0.00581
  • 25,000 pcs$0.00523
  • 50,000 pcs$0.00465
  • 125,000 pcs$0.00388
品番:
1N4007-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41. Rectifiers 1A 1000V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology 1N4007-G electronic components. 1N4007-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4007-G 製品の属性

品番 : 1N4007-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1000V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-41
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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