Taiwan Semiconductor Corporation - UGF5JHC0G

KEY Part #: K6436406

UGF5JHC0G 価格設定(USD) [265684個在庫]

  • 1 pcs$0.13922

品番:
UGF5JHC0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 5A ITO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation UGF5JHC0G electronic components. UGF5JHC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGF5JHC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGF5JHC0G 製品の属性

品番 : UGF5JHC0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 5A ITO220AC
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3V @ 5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 30µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ : ITO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS20WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 150V

  • VS-4EWH02FNTRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3

  • SDURD1020TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 200V DPAK.

  • VS-6EWX06FNTRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3

  • VS-5EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252AA. Rectifiers 5A 600V 59ns Ultrafast

  • VS-5EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK. Rectifiers 5A 600V 18ns Hyperfast