TK31N60W5,S1VF 価格設定（USD） [14520個在庫]
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- 品番:
- TK31N60W5,S1VF
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W5,S1VF electronic components. TK31N60W5,S1VF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31N60W5,S1VF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK31N60W5,S1VF 製品の属性
品番 :
TK31N60W5,S1VF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
99 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 1.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3000pF @ 300V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
230W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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