VS-HFA08PB120-N3 価格設定（USD） [21267個在庫]
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- 品番:
- VS-HFA08PB120-N3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC. Rectifiers 8A 1200V Ultrafast 28ns HEXFRED
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08PB120-N3 electronic components. VS-HFA08PB120-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08PB120-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA08PB120-N3 製品の属性
品番 :
VS-HFA08PB120-N3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC
シリーズ :
HEXFRED®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.3V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
95ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AC Modified
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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