Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J/TR

KEY Part #: K6425843

BYG10J/TR 価格設定(USD) [822672個在庫]

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品番:
BYG10J/TR
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J/TR 製品の属性

品番 : BYG10J/TR
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Avalanche
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.15V @ 1.5A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 4µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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