Microsemi Corporation - JAN1N457

KEY Part #: K6443139

JAN1N457 価格設定(USD) [2893個在庫]

  • 1 pcs$18.85631

品番:
JAN1N457
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N457 electronic components. JAN1N457 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N457, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N457 製品の属性

品番 : JAN1N457
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/193
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 70V
電流-平均整流(Io) : 150mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25nA @ 70V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-10WT10FNTRR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK.

  • VS-10WT10FNTRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK.

  • VS-10WT10FNTR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK.

  • VS-60APU02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V UF TO247AC

  • VS-80APS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers 800 Volt 1450 Amp

  • V30120SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.