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ON Semiconductor - FCPF9N60NTYDTU

KEY Part #: K6399221

FCPF9N60NTYDTU 価格設定（USD） [49454個在庫]

  • 1 pcs$1.00843
  • 800 pcs$1.00341
品番:
FCPF9N60NTYDTU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCPF9N60NTYDTU electronic components. FCPF9N60NTYDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF9N60NTYDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF9N60NTYDTU 製品の属性

品番 : FCPF9N60NTYDTU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
シリーズ : SupreMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 385 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1240pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 29.8W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F-3 (Y-Forming)
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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