IPP111N15N3GXKSA1 価格設定（USD） [19770個在庫]
- 1 pcs$2.08451
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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IPP111N15N3GXKSA1 製品の属性
品番 :
IPP111N15N3GXKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
83A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 160µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3230pF @ 75V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
214W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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