Infineon Technologies - FS30R06W1E3BOMA1

KEY Part #: K6533760

FS30R06W1E3BOMA1 価格設定(USD) [3058個在庫]

  • 1 pcs$14.16308

品番:
FS30R06W1E3BOMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE 600V 30A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FS30R06W1E3BOMA1 electronic components. FS30R06W1E3BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS30R06W1E3BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS30R06W1E3BOMA1 製品の属性

品番 : FS30R06W1E3BOMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE 600V 30A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 60A
パワー-最大 : 150W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2V @ 15V, 30A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 1.65nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT80DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

  • VS-GT100DA120UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

  • VS-GA200SA60UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 500W SOT-227.

  • STGE200N60K

    STMicroelectronics

    IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP.

  • STGE50NC60WD

    STMicroelectronics

    IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP.