Diodes Incorporated - DMN61D9UW-13

KEY Part #: K6396349

DMN61D9UW-13 価格設定(USD) [1964322個在庫]

  • 1 pcs$0.01883
  • 10,000 pcs$0.01701

品番:
DMN61D9UW-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN61D9UW-13 electronic components. DMN61D9UW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN61D9UW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D9UW-13 製品の属性

品番 : DMN61D9UW-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 340mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 28.5pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 320mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-323
パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323