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ON Semiconductor - FDPF3860TYDTU

KEY Part #: K6413067

[13228個在庫]

    品番:
    FDPF3860TYDTU
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDPF3860TYDTU electronic components. FDPF3860TYDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDPF3860TYDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDPF3860TYDTU 製品の属性

    品番 : FDPF3860TYDTU
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 38.2 mOhm @ 5.9A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1800pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 33.8W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F-3 (Y-Forming)
    パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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