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- 品番:
- BSP123L6327HTSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP123L6327HTSA1 electronic components. BSP123L6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP123L6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP123L6327HTSA1 製品の属性
品番 :
BSP123L6327HTSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
370mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 Ohm @ 370mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.8V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
70pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.79W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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