1N6625E3 価格設定（USD） [2892個在庫]
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- 10 pcs$9.80945
- 品番:
- 1N6625E3
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation 1N6625E3 electronic components. 1N6625E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6625E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6625E3 製品の属性
品番 :
1N6625E3
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1100V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.95V @ 1.5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
80ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
A, Axial
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
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