Vishay Siliconix - IRLZ14S

KEY Part #: K6404074

[2138個在庫]


    品番:
    IRLZ14S
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRLZ14S electronic components. IRLZ14S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLZ14S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLZ14S 製品の属性

    品番 : IRLZ14S
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 200 mOhm @ 6A, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.4nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 400pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.7W (Ta), 43W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • FQD11P06TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.